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ST 功率晶体管

ST意法半导体适用于高压和低压应用的领先功率技术,结合全封装范围和创新芯片键合技术,是ST在属于STPOWER系列的功率晶体管方面的创新。ST提供范围从-100到1700 V的功率MOSFET、击穿电压从300到1700 V、功率双极晶体管从15到1700 V不等的IGBT和功率双极晶体管,我们的碳化硅(SiC)MOSFET确保了良好的鲁棒性,这得益于业界最高的温度额定值200°C和650至2200 V的电压范围。此外,我们的硅衬底氮化镓(GaN/Si)晶体管由于出色的动态导通电阻和小电容100,650和900伏。

ST意法半导体适用于高压和低压应用的领先功率技术,结合全封装范围和创新芯片键合技术,是ST在属于STPOWER系列的功率晶体管方面的创新。ST提供范围从-100到1700 V的功率MOSFET、击穿电压从300到1700 V、功率双极晶体管从15到1700 V不等的IGBT和功率双极晶体管,我们的碳化硅(SiC)MOSFET确保了良好的鲁棒性,这得益于业界最高的温度额定值200°C和650至2200 V的电压范围。此外,我们的硅衬底氮化镓(GaN/Si)晶体管由于出色的动态导通电阻和小电容100,650和900伏。

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